IPB048N06LG、IPB050N06NGATMA1、IPD048N06L3G对比区别

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型号 IPB048N06LG IPB050N06NGATMA1 IPD048N06L3G

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorD2PAK N-CH 60V 100A60V,4.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263 TO-263-2 TO-252

极性 - N-CH N-Channel

上升时间 - - 5 ns

下降时间 - - 12 ns

耗散功率 - 300W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 100 A 100A -

输入电容(Ciss) 7600pF @30V(Vds) 6100pF @30V(Vds) -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 100 A - -

输入电容 7.60 nF - -

栅电荷 225 nC - -

额定功率(Max) 300 W - -

封装 TO-263 TO-263-2 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC