IPB048N06LG
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPB048N06LG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 100 A
输入电容 7.60 nF
栅电荷 225 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100 A
输入电容Ciss 7600pF @30VVds
额定功率Max 300 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB048N06LG引脚图与封装图
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在线购买IPB048N06LG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB048N06LG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB048N06LG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB048N06LG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 60V 100A 7.6nF | 当前型号 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPD048N06L3G 品牌： 英飞凌 封装： TO-252AA N-Channel | 类似代替 | 60V,4.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET | IPB048N06LG和IPD048N06L3G的区别 |
| 型号： IPB050N06NGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 60V 100A | 功能相似 | D2PAK N-CH 60V 100A | IPB048N06LG和IPB050N06NGATMA1的区别 |