锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

AO4842、FDS6930A、FDS6990AS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO4842 FDS6930A FDS6990AS

描述 二极管与整流器FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6930A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6990AS  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 5.50 A -

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.032 Ω 0.017 Ω

极性 N-CH Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 - 1.5 V 1.7 V

输入电容 - 460 pF -

栅电荷 - 5.00 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.7A 5.50 A 7.50 mA

上升时间 2.7 ns 8 ns -

输入电容(Ciss) 448pF @15V(Vds) 460pF @15V(Vds) 550pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 900 mW 900 mW

下降时间 2.9 ns 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 1600 mW

额定功率 1.44 W - -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99