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BC550、MPS6651G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC550 MPS6651G

描述 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR放大器晶体管 Amplifier Transistors

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-92-3 TO-226-3

额定电压(DC) 45.0 V -25.0 V

额定电流 100 mA 1.00 A

极性 NPN PNP

耗散功率 0.5 W -

增益频宽积 300 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 50 @500mA, 1V

额定功率(Max) 500 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -

集电极最大允许电流 - 1A

长度 5.2 mm -

宽度 4.19 mm -

高度 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99