BC550、MPS6651G对比区别
描述 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR放大器晶体管 Amplifier Transistors
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-92-3 TO-226-3
额定电压(DC) 45.0 V -25.0 V
额定电流 100 mA 1.00 A
极性 NPN PNP
耗散功率 0.5 W -
增益频宽积 300 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 50 @500mA, 1V
额定功率(Max) 500 mW 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) 65 ℃ -
集电极最大允许电流 - 1A
长度 5.2 mm -
宽度 4.19 mm -
高度 5.33 mm -
封装 TO-92-3 TO-226-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99