MPS6651G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 1.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPS6651G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPS6651G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS6651G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -25V 1A | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： BC550 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 45V 100mA 500mW | 功能相似 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | MPS6651G和BC550的区别 |