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KA358DTF、LM358DR2G、LM358D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KA358DTF LM358DR2G LM358D

描述 OP Amp Dual GP ±16V/32V 8Pin SOIC N T/RON SEMICONDUCTOR  LM358DR2G.  运算放大器TEXAS INSTRUMENTS  LM358D  芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - 3V ~ 32V 3V ~ 32V

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电流 60 mA 40 mA 30mA @15V

供电电流 800 µA 1.5 mA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 65 dB 70 dB 65 dB

带宽 - 1 MHz 700 kHz

转换速率 - 600 mV/μs 300 mV/μs

增益频宽积 - 1 MHz 700 kHz

输入补偿电压 2.9 mV 2 mV 3 mV

输入偏置电流 45 nA 45 nA 20 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 1 MHz 0.7 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 - 3V ~ 32V -

电源电压(Max) 32 V 32 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

输入电压 - 0V ~ 28.3V -

输入补偿漂移 - - 7.00 µV/K

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - - NLR