SI3410DV-T1-GE3、SI3434DV-T1-GE3、IRFTS8342TRPBF对比区别

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型号 SI3410DV-T1-GE3 SI3434DV-T1-GE3 IRFTS8342TRPBF

描述 VISHAY  SI3410DV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 VVISHAY  SI3434DV-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4.6AINFINEON  IRFTS8342TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.2 A, 30 V, 0.015 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP-6 TSOP SOT-23-6

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.016 Ω 34 mΩ 0.015 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 4.1 W 1.14 W 2 W

阈值电压 3 V 4 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 4.60 A 8.2A

输入电容(Ciss) 1295pF @15V(Vds) - 560pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 4.1 W - 2W (Ta)

额定功率 - - 2 W

输入电容 - - 560 pF

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 8.2 ns

长度 3.1 mm - 3 mm

宽度 1.7 mm - 1.75 mm

高度 1 mm - 1.3 mm

封装 TSOP-6 TSOP SOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -