SI3434DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 34 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.14 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.60 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI3434DV-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI3434DV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3434DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3434DV-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4.6A | 搜索库存 |
替代型号SI3434DV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI3434DV-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TSOP N-Channel 30V 4.6A | 当前型号 | VISHAY SI3434DV-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4.6A | 当前型号 |
| 型号： SI3410DV-T1-GE3 品牌： 威世 封装： TSOP N-Channel 30V 8A | 功能相似 | VISHAY SI3410DV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V | SI3434DV-T1-GE3和SI3410DV-T1-GE3的区别 |