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S29GL512S11DHIV10、S29GL512S11FHIV20、S29GL512S11DHIV20对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S29GL512S11DHIV10 S29GL512S11FHIV20 S29GL512S11DHIV20

描述 闪存, 或非, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 32M x 16Bit 110ns 64Pin FBGA TraySPANSION  S29GL512S11DHIV20  闪存, 或非, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Spansion (飞索半导体)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 64 64 64

封装 FBGA-64 BGA-64 FBGA-64

供电电流 60 mA - -

针脚数 64 - 64

位数 16 16 -

存取时间 110 ns - 110 ns

内存容量 64000000 B - 64000000 B

存取时间(Max) 110 ns 110 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V -

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

电源电压(DC) - - 2.70V (min)

封装 FBGA-64 BGA-64 FBGA-64

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17