FDS5672、STS7NF60L对比区别
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5672. 晶体管, N沟道STMICROELECTRONICS STS7NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V
额定电流 12.0 A 7.50 A
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0088 Ω 0.017 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W
阈值电压 4 V 1 V
输入电容 2.20 nF 1.70 nF
栅电荷 34.0 nC 25.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 mA 7.50 A
上升时间 20 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W
下降时间 14 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 2.5W (Tc)
高度 1.5 mm 1.65 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm -
宽度 4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -