FDS5672
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS5672中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 12.0 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.0088 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.20 nF
栅电荷 34.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 mA
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS5672引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDS5672
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS5672 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 60V 12mA 8.8mohms 2.2nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5672. 晶体管, N沟道 | 当前型号 |
| 型号： STS7NF60L 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 60V 7.5A 17mohms 1.7nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS7NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V | FDS5672和STS7NF60L的区别 |
| 型号： FDS5670 品牌： 安森美 封装： SOIC | 功能相似 | ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5670, 10 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装 | FDS5672和FDS5670的区别 |