2N5337、JAN2N5152、2N5336对比区别

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型号 2N5337 JAN2N5152 2N5336

描述 Trans GP BJT NPN 80V 5A 3Pin TO-39NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 80V 5A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-39-3 TO-205 TO-39

引脚数 3 - 3

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @2.5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

耗散功率(Max) 6000 mW - 6000 mW

封装 TO-39-3 TO-205 TO-39

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -