CSD17573Q5B、CSD17573Q5BT对比区别

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型号 CSD17573Q5B CSD17573Q5BT

描述 CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFETN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 VSON-Clip-8 VSON-CLIP

通道数 1 -

漏源极电阻 1.19 mΩ -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 3.2 W 3.2 W

阈值电压 1.1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 100A 100A

上升时间 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 9000pF @15V(Vds) 6920pF @15V(Vds)

下降时间 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) -

长度 6 mm 6.1 mm

宽度 5 mm 5.1 mm

高度 1 mm 1.05 mm

封装 VSON-Clip-8 VSON-CLIP

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 -