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71P74604S250BQ、IDT71P74604S250BQ、IDT71P74604S200BQ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71P74604S250BQ IDT71P74604S250BQ IDT71P74604S200BQ

描述 SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165Pin CABGA18MB流水线QDR II SRAM突发的4 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 418MB流水线QDR II SRAM突发的4 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

封装 BGA TBGA-165 TBGA-165

引脚数 165 - -

电源电压 1.8 V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

封装 BGA TBGA-165 TBGA-165

长度 15.0 mm - -

宽度 13.0 mm - -

高度 0.85 mm - -

厚度 1.20 mm - -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 3A991