IPI65R600C6、SPI07N65C3、IPI65R600C6XKSA1对比区别

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型号 IPI65R600C6 SPI07N65C3 IPI65R600C6XKSA1

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能新的革命高电压技术，超低栅极电荷定期额定雪崩 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche ratedInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 7.30 A -

极性 N-CH N-CH N-CH

输入电容 - 790 pF -

栅电荷 - 27.0 nC -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.30 A 7.3A

上升时间 9 ns 3.5 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds) 440pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 63 W 83 W -

下降时间 13 ns 7 ns 13 ns

额定功率 - - 63 W

耗散功率 - - 63W (Tc)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 63 W - 63W (Tc)

长度 10.36 mm 10.2 mm 10.36 mm

宽度 4.52 mm 4.5 mm 4.52 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅