MUN5116DW1T1、MUN5116DW1T1G、MUN5111T1G对比区别

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型号 MUN5116DW1T1 MUN5116DW1T1G MUN5111T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 3

封装 SOT-363 SC-70-6 SC-70-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 385 mW 0.385 W 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW 297 mW

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

高度 0.9 mm 0.9 mm 0.9 mm

封装 SOT-363 SC-70-6 SC-70-3

长度 - 2 mm 2.2 mm

宽度 - 1.25 mm 1.35 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99 EAR99