DS1270Y-70IND、M48Z2M1Y-70PL1、DS1270Y-70IND#对比区别

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型号 DS1270Y-70IND M48Z2M1Y-70PL1 DS1270Y-70IND#

描述 IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP16兆的2Mb ×8 ZEROPOWER SRAM 16 Mb 2Mb x 8 ZEROPOWER SRAM非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - - 36

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 16000000 B 16000000 B 16000000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

存取时间(Max) - 70 ns -

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free PB free

ECCN代码 - EAR99 -