M48Z2M1Y-70PL1
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
M48Z2M1Y-70PL1中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns
内存容量 16000000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 DIP-36
外形尺寸
封装 DIP-36
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
M48Z2M1Y-70PL1引脚图与封装图
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在线购买M48Z2M1Y-70PL1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M48Z2M1Y-70PL1 | ST Microelectronics 意法半导体 | 16兆的2Mb ×8 ZEROPOWER SRAM 16 Mb 2Mb x 8 ZEROPOWER SRAM | 搜索库存 |
替代型号M48Z2M1Y-70PL1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M48Z2M1Y-70PL1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 36DIP 16000000B 5V 70ns 36Pin | 当前型号 | 16兆的2Mb ×8 ZEROPOWER SRAM 16 Mb 2Mb x 8 ZEROPOWER SRAM | 当前型号 |
| 型号： DS1270Y-70 品牌： 美信 封装： MOD 16000000B 5V 70ns 36Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP | M48Z2M1Y-70PL1和DS1270Y-70的区别 |
| 型号： DS1270Y-70IND 品牌： 美信 封装： MOD 16000000B 5V 70ns 36Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP | M48Z2M1Y-70PL1和DS1270Y-70IND的区别 |
| 型号： M48Z2M1V-85PL1 品牌： 意法半导体 封装： PLDIP 16000000B 3.3V 85ns 36Pin | 类似代替 | 5 V或3.3 V ， 16兆位（ Mb的2 ×8 ） ZEROPOWER ？ SRAM 5 V or 3.3 V, 16 Mbit 2 Mb x 8 ZEROPOWER? SRAM | M48Z2M1Y-70PL1和M48Z2M1V-85PL1的区别 |