2N3439L、JANS2N3439L、2N3439对比区别

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型号 2N3439L JANS2N3439L 2N3439

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTO-5 NPN 350V 1ANPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-5 TO-5 TO-39

额定电压(DC) - - 350 V

额定电流 - - 1.00 A

耗散功率 0.8 W - 0.8 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V - -

额定功率(Max) 800 mW - -

封装 TO-5 TO-5 TO-39

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99