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2N3439L

2N3439L

数据手册.pdf

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  These devices are also available in TO-39 and low profile U4 and UA
.
* ** packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.
2N3439L中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

2N3439L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N3439L Microsemi 美高森美 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号2N3439L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N3439L

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-5 NPN 800mW

当前型号

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： JANTXV2N3439L

品牌： 美高森美

封装： TO-5

完全替代

Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5

2N3439L和JANTXV2N3439L的区别

型号： JANTX2N3439L

品牌： 美高森美

封装： TO-5

完全替代

TRANS NPN 350V 1A Bipolar Junction TO-5

2N3439L和JANTX2N3439L的区别

型号： JANS2N3439L

品牌： 美高森美

封装： TO-5 NPN

完全替代

TO-5 NPN 350V 1A

2N3439L和JANS2N3439L的区别