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SN74BCT2827CDWE4、SN74BCT2827CDWR、SN74BCT2827CDW对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN74BCT2827CDWE4 SN74BCT2827CDWR SN74BCT2827CDW

描述 10位总线/带MOS存储器驱动器3态输出 10-BIT BUS/MOS MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS10位总线/带MOS存储器驱动器3态输出 10-BIT BUS/MOS MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS10位总线/带MOS存储器驱动器3态输出 10-BIT BUS/MOS MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 缓冲器逻辑芯片逻辑芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 24 24 24

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

电源电压(DC) 4.50V ~ 5.50V 4.50V ~ 5.50V 4.50V ~ 5.50V

输出接口数 10 10 10

电路数 - - 10

通道数 10 10 10

位数 - 10 10

传送延迟时间 7.80 ns 7.80 ns 7.80 ns

电压波节 5.00 V 5.00 V 5.00 V

输出电流驱动 -83.3 µA -83.3 µA -83.3 µA

输入数 - 10 10

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

静态电流 28 mA 28 mA -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

长度 15.4 mm 15.4 mm -

宽度 7.52 mm 7.52 mm -

高度 2.35 mm 2.35 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC