FQP58N08、STP60NF06、SPP04N80C3对比区别

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型号 FQP58N08 STP60NF06 SPP04N80C3

描述 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 80.0 V 60.0 V 800 V

额定电流 57.5 A 60.0 A 4.00 A

通道数 1 1 1

漏源极电阻 24 mΩ 0.016 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 146 W 110 W 63 W

漏源极电压(Vds) 80 V 60 V 800 V

漏源击穿电压 80 V 60.0 V 800 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 57.5 A 60.0 A 4.00 A

上升时间 200 ns 108 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

下降时间 95 ns 20 ns 12 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 146W (Tc) 110W (Tc) 63W (Tc)

额定功率 - - 63 W

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 2 V 3 V

额定功率(Max) - 110 W 63 W

长度 10.67 mm 10.4 mm 10 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.4 mm

高度 16.3 mm 9.15 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -