额定电压DC 80.0 V
额定电流 57.5 A
通道数 1
漏源极电阻 24 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 146 W
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 57.5 A
上升时间 200 ns
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
下降时间 95 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 146W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQP58N08 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 80V 57.5A 24mohms | 当前型号 | 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: STP55NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQP58N08和STP55NF06的区别 | |
型号: STP60NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | FQP58N08和STP60NF06的区别 | |
型号: STP5NK100Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V | FQP58N08和STP5NK100Z的区别 |