BP103B、BPW96对比区别

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型号 BP103B BPW96

描述 .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor硅NPN光电晶体管 Silicon NPN Phototransistor

数据手册 --

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Vishay Semiconductor (威世)

分类 光电晶体管

安装方式 - Through Hole

封装 - T-1

波长 - 850 nm

视角 - 40°

耗散功率 - 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 70 V

额定功率(Max) - 150 mW

下降时间 - 2.3 µs

工作温度(Max) - 100 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

峰值波长 850 nm -

封装 - T-1

工作温度 - -40℃ ~ 100℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free