BPW96中文资料参数规格
技术参数
波长 850 nm
视角 40°
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 70 V
额定功率Max 150 mW
下降时间 2.3 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-1
外形尺寸
封装 T-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BPW96引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BPW96
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BPW96 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | 硅NPN光电晶体管 Silicon NPN Phototransistor | 当前型号 |
| 型号： BP103B 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor | BPW96和BP103B的区别 |
