FDMC510P、SI7123DN-T1-GE3对比区别
型号 FDMC510P SI7123DN-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC510P 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV•根据IEC 61249-2-21的无卤素定义•的TrenchFET功率MOSFET：1.5 V额定•超低导通电阻•100％的Rg 测试 •符合RoHS指令2002/95/EC
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 Power-33-8 PowerPak-1212-8
漏源极电阻 0.0064 Ω 8.6 mΩ
极性 P-Channel P-CH
耗散功率 41 W 1.5 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 12A 16A
上升时间 34 ns 88 ns
输入电容(Ciss) 7860pF @10V(Vds) 3729pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 1.5 W
下降时间 170 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 1500 mW
针脚数 8 -
封装 Power-33-8 PowerPak-1212-8
长度 3.3 mm -
宽度 3.3 mm -
高度 0.75 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000
产品生命周期 Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -