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FDMC510P
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC510P  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -18A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.012Ω/Ohm @1.2A,4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--0.1 耗散功率PdPower Dissipation| 41W Description & Applications| 描述与应用|


贸泽:
MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC510P  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin MLP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin MLP T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin MLP EP T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC510P  MOSFET Transistor, P Channel, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP


DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP


FDMC510P中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0064 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 41 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 7860pF @10VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 170 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3W Ta, 41W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMC510P引脚图与封装图
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FDMC510P Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC510P  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDMC510P

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: MLP P-Channel 20V 12A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC510P  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -20 V, 0.0064 ohm, -4.5 V, -500 mV

当前型号

型号: SI7123DN-T1-GE3

品牌: 威世

封装:

功能相似

•根据IEC 61249-2-21的无卤素定义•的TrenchFET功率MOSFET:1.5 V额定•超低导通电阻•100%的Rg 测试 •符合RoHS指令2002/95/EC

FDMC510P和SI7123DN-T1-GE3的区别