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TSV632AID、TSV632AIDT、MCP6272-E/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSV632AID TSV632AIDT MCP6272-E/SN

描述 精密放大器 Rail-to-rail Input Output 880 kHz CMOS60μA 880kHz 低失调电压 双通道 运算放大器 不带待机模式MICROCHIP  MCP6272-E/SN  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 2 MHz, 2个放大器, 0.9 V/µs, 2V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microchip (微芯)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 2.00V (min)

工作电压 - - 2V ~ 5.5V

输出电流 74mA @5V 74mA @5V 25 mA

供电电流 60 µA 60 µA 170 µA

电路数 2 2 2

通道数 - - 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 - 80 dB 85 dB

静态电流 - - 240 µA

输入补偿漂移 - - 1.70 µV/K

带宽 880 kHz 880 kHz 2 MHz

转换速率 340 mV/μs - 900 mV/μs

增益频宽积 880 kHz 880 kHz 2 MHz

输入补偿电压 800 µV 800 µV 3 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 880 kHz 2 MHz

共模抑制比(Min) 60 dB 60 dB 70dB ~ 71dB

电源电压 1.5V ~ 5.5V 1.5V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5V ~ 6V

电源电压(Min) - - 2 V

输入电压 - - 1.7V ~ 2.3V

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -