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BYG10JHE3/TR3、BYG10J-E3/TR、BYG10JHE3/TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BYG10JHE3/TR3 BYG10J-E3/TR BYG10JHE3/TR

描述 Diode Switching 600V 1.5A 2Pin SMA T/R1.5A,Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型,高度为 1mm 雪崩整流器VISHAY BYG10JHE3/TR Standard Power Diode, 600V, 1.5A, Single, 1.15V, 4µs, 30A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管整流二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 DO-214AC DO-214AC DO-214AC

正向电压 1.15V @1.5A 1.15V @1.5A 1.15V @1.5A

反向恢复时间 4 µs 4 µs 4 µs

正向电流 - 1.5 A 1.5 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A 30 A

正向电压(Max) 1.15V @1.5A 1.15 V 1.15 V

正向电流(Max) - 1.5 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 4.5 mm -

宽度 - 2.79 mm -

高度 - 2.09 mm -

封装 DO-214AC DO-214AC DO-214AC

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃