BYG10JHE3/TR
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
BYG10JHE3/TR中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.15V @1.5A
反向恢复时间 4 µs
正向电流 1.5 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A
正向电压Max 1.15 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AC
外形尺寸
封装 DO-214AC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BYG10JHE3/TR引脚图与封装图
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在线购买BYG10JHE3/TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BYG10JHE3/TR | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BYG10JHE3/TR Standard Power Diode, 600V, 1.5A, Single, 1.15V, 4µs, 30A | 搜索库存 |
替代型号BYG10JHE3/TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BYG10JHE3/TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AC | 当前型号 | VISHAY BYG10JHE3/TR Standard Power Diode, 600V, 1.5A, Single, 1.15V, 4µs, 30A | 当前型号 |
| 型号： BYG10J-E3/TR 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | 1.5A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 | BYG10JHE3/TR和BYG10J-E3/TR的区别 |
| 型号： BYG10J-E3/TR3 品牌： 威世 封装： DO-214AC | 完全替代 | Diode Switching 600V 1.5A 2Pin SMA T/R | BYG10JHE3/TR和BYG10J-E3/TR3的区别 |