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BC557BZL1、BC557BZL1G、BC557B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC557BZL1 BC557BZL1G BC557B

描述 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP SiliconON SEMICONDUCTOR  BC557BZL1G  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 320 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFETransistor: PNP; bipolar; 45V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

频率 - 320 MHz 150 MHz

耗散功率 - 625 mW 0.5 W

增益频宽积 - - 150 MHz

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 500 mW

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

直流电流增益(hFE) - 290 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape Roll, Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99