BC557BZL1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC557BZL1引脚图与封装图
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在线购买BC557BZL1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC557BZL1 | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC557BZL1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC557BZL1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -45V -100mA | 当前型号 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
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| 型号： BC557BZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -45V -100mA 625mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC557BZL1G 单晶体管 双极, PNP, 45 V, 320 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE | BC557BZL1和BC557BZL1G的区别 |