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IPP030N10N3GXKSA1、IPP039N10N5AKSA1、IPP04CN10N G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP030N10N3GXKSA1 IPP039N10N5AKSA1 IPP04CN10N G

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, 通孔INFINEON  IPP04CN10N G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 3.5 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0026 Ω 0.0032 Ω 0.0035 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 300 W 188 W 300 W

阈值电压 2.7 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 58 ns - 78 ns

下降时间 28 ns - 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 300 W - -

连续漏极电流(Ids) 100A - -

输入电容(Ciss) 14800pF @50V(Vds) - -

额定功率(Max) 300 W - -

耗散功率(Max) 300W (Tc) - -

长度 10.36 mm - 10 mm

宽度 4.57 mm - 4.4 mm

高度 15.95 mm - 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -