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ULN2003ADE4、ULN2003ADR、ULN2003ADG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2003ADE4 ULN2003ADR ULN2003ADG4

描述 高电压,大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYSTEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

输出接口数 7 7 7

通道数 7 7 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 7 7 7

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

输入电压(Max) 5 V - -

输出电压(Max) 50 V - -

输出电流(Max) 500 mA 500 mA 500 mA

直流电流增益(hFE) 1000 - 1000

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -20 ℃ -20 ℃

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 500 mA -

输出电压 - 50 V -

输出电流 - 0.5 A -

针脚数 - 16 -

输入电压 - 30 V -

长度 9.9 mm 9.9 mm 9.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -20℃ ~ 70℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -