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BD436、TIP48G、BD441G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD436 TIP48G BD441G

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorTIP 系列 300 V 1 A NPN 通孔 硅 功率晶体管 - TO-220ABON SEMICONDUCTOR  BD441G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 77-09 TO-220-3 TO-225-3

频率 - 10 MHz 3 MHz

额定电压(DC) - 300 V 80.0 V

额定电流 - 1 A 4.00 A

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 40 W 36 W

增益频宽积 - 10 MHz 3 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V 80 V

热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 1A 4A

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @300mA, 10V 40 @500mA, 1V

额定功率(Max) - 2 W 36 W

直流电流增益(hFE) - 10 15

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 40 W 36000 mW

长度 - 10.28 mm 7.74 mm

宽度 - 4.82 mm 2.66 mm

高度 - 15.75 mm 11.04 mm

封装 77-09 TO-220-3 TO-225-3

材质 - Silicon Silicon

重量 - 0.0004535924 kg -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99