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MUN5212DW1T1、MUN5213T1G、MUN5214T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5212DW1T1 MUN5213T1G MUN5214T1

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR  MUN5213T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-70MUN5214T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k 增益80-140 SOT-323/SC-70 marking/标记 8D

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 3 3

封装 SOT-363 SC-70-3 SC-70-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 Dual N-Channel NPN NPN

耗散功率 385 mW 0.31 W 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 202 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 310 mW 310 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

高度 0.9 mm - 0.85 mm

封装 SOT-363 SC-70-3 SC-70-3

宽度 - 1.24 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -