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IXXH50N60C3D1、STGY50NC60WD、IXSR40N60CD1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXXH50N60C3D1 STGY50NC60WD IXSR40N60CD1

描述 IXXH 系列 GenX3 600 V 100 A 法兰安装 IGBT - TO-247ADSTGY50NC60WD 系列 600 V 50 A 超快 IGBT 通孔 - MAX-247Trans IGBT Chip N-CH 600V 62A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 ISOPLUS-247

耗散功率 600000 mW 278000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 25 ns 55 ns 35 ns

额定功率(Max) 600 W 278 W 210 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 600000 mW 278 W -

极性 - N-Channel -

上升时间 - 17.0 ns -

封装 TO-247-3 TO-247-3 ISOPLUS-247

长度 - 15.9 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 20.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -