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BC369、BC369ZL1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC369 BC369ZL1G

描述 电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3

频率 - 65 MHz

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V

额定电流 -1.00 A -1.00 A

额定功率 - 800 mW

极性 - PNP

耗散功率 - 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V

集电极最大允许电流 - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 85 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW

封装 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Box Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99