额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.00 A
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC369 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 -20V -1A | 当前型号 | 电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative | 当前型号 | |
型号: BC369ZL1G 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -20V -1A 625mW | 完全替代 | 电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative | BC369和BC369ZL1G的区别 | |
型号: BC369,112 品牌: 恩智浦 封装: SOT-54 PNP | 功能相似 | SPT PNP 20V 1A | BC369和BC369,112的区别 |