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IGW60T120、IXGH15N120BD1、IGB15N60T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IGW60T120 IXGH15N120BD1 IGB15N60T

描述 INFINEON  IGW60T120  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADINFINEON  IGB15N60T  单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3

耗散功率 375 W 150000 mW 130 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 600 V

反向恢复时间 - 40 ns -

额定功率(Max) 375 W 150 W 130 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 375 W 150000 mW -

额定功率 375 W - 130 W

针脚数 3 - 3

高度 20.95 mm 21.46 mm 4.57 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3

长度 15.9 mm - 10.31 mm

宽度 5.3 mm - 9.45 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -