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ZXMP6A16DN8TA、ZXMP6A16DN8TC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXMP6A16DN8TA ZXMP6A16DN8TC

描述 ZXMP6A16 系列 60 V 0.085 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8场效应管(MOSFET) ZXMP6A16DN8TC SO-8

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 2.15 W 1.25 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 3.90 A 3.9A

上升时间 4.1 ns 4.1 ns

输入电容(Ciss) 1021pF @30V(Vds) 1021pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

下降时间 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.81 W 2150 mW

额定电压(DC) -60.0 V -

额定电流 -3.70 A -

漏源极电阻 125 mΩ -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -