ZXMP6A16DN8TC
数据手册.pdfDiodes(美台)
电子元器件分类
ZXMP6A16DN8TC中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 3.9A
上升时间 4.1 ns
输入电容Ciss 1021pF @30VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZXMP6A16DN8TC引脚图与封装图
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在线购买ZXMP6A16DN8TC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMP6A16DN8TC | Diodes 美台 | Trans MOSFET P-CH 60V 3.9A Automotive 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号ZXMP6A16DN8TC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXMP6A16DN8TC 品牌： Diodes 美台 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 60V 3.9A Automotive 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： ZXMP6A16DN8TA 品牌： 美台 封装： SOP-8 P-Channel 60V 3.9A 125mΩ | 类似代替 | ZXMP6A16 系列 60 V 0.085 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8 | ZXMP6A16DN8TC和ZXMP6A16DN8TA的区别 |