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TLV2620IDBVR、TLV2620IDBVT、TLV2620IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2620IDBVR TLV2620IDBVT TLV2620IDR

描述 系列低POER宽的带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW POER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 8

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOIC-8

输出电流 28mA @5V 28mA @5V -

供电电流 800 µA 800 µA 800 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 425 mW 0.425 W 0.71 W

共模抑制比 78 dB 78 dB 78 dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K 3.00 µV/K 3.00 µV/K

带宽 11.0 MHz 11.0 MHz 11 MHz

转换速率 6.00 V/μs 6.00 V/μs 6.00 V/μs

增益频宽积 11 MHz 11 MHz 11 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 250 µV 250 µV 250 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 425 mW 425 mW 710 mW

共模抑制比(Min) 78 dB 78 dB 78 dB

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

增益带宽 - 11 MHz 11 MHz

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.15 mm - -

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15