FQD1N80TM、STD1NK80ZT4、STD7NM80对比区别

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型号 FQD1N80TM STD1NK80ZT4 STD7NM80

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD1N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS  STD1NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 15.5 Ω 13 Ω 0.95 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 45 W 90 W

阈值电压 5 V 3.75 V 4 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.00 mA 1.00 A 3.25 A

上升时间 25 ns 30 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 195pF @25V(Vds) 160pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 45 W 90 W

下降时间 25 ns 55 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 45000 mW 90W (Tc)

通道数 - 1 -

输入电容 - 160 pF -

栅电荷 - 7.70 nC -

正向电压(Max) - - 1.3 V

长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 6.1 mm 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.3 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -