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STD1NK80ZT4

STD1NK80ZT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD1NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 800V 1A


得捷:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK80ZT4, 1 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A


艾睿:
This STD1NK80ZT4 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 45000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes supermesh technology.


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Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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# STMICROELECTRONICS  STD1NK80ZT4  MOSFET Transistor, N Channel, 1 A, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V


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STD1NK80ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 1.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 160 pF

栅电荷 7.70 nC

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 160pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD1NK80ZT4引脚图与封装图
STD1NK80ZT4引脚图

STD1NK80ZT4引脚图

STD1NK80ZT4封装图

STD1NK80ZT4封装图

STD1NK80ZT4封装焊盘图

STD1NK80ZT4封装焊盘图

在线购买STD1NK80ZT4
型号 制造商 描述 购买
STD1NK80ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD1NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
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型号: STD1NK80ZT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 800V 1A 13ohms 160pF

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD1NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号: FQD1N80TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 800V 1mA 20ohms

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