IPD50R800CE、IPD50R800CEATMA1对比区别

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型号 IPD50R800CE IPD50R800CEATMA1

描述 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R800CEATMA1, 5 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH -

耗散功率 60 W 60W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 5A -

上升时间 5.5 ns -

输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 40 W -

下降时间 15.9 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 60W (Tc)

额定功率 - 40 W

漏源击穿电压 - 500 V

长度 6.5 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅