IPD50R800CEATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD50R800CEATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 40 W
耗散功率 60W Tc
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
输入电容Ciss 280pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IPD50R800CEATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD50R800CEATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD50R800CEATMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R800CEATMA1, 5 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | 搜索库存 |
替代型号IPD50R800CEATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD50R800CEATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 | 当前型号 | Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R800CEATMA1, 5 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | 当前型号 |
| 型号： IPD50R800CE 品牌： 英飞凌 封装： PG-TO252-3 N-CH 550V 5A | 类似代替 | Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPD50R800CEATMA1和IPD50R800CE的区别 |