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IRG4BC20WPBF、SGP13N60UFTU、IRG4BC20W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC20WPBF SGP13N60UFTU IRG4BC20W

描述 IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin(3+Tab) TO-220 RailTrans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定功率 60 W - 60 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 60 W 60 W 60 W

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 6.50 A -

耗散功率 60 W 60 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.54 mm 10.1 mm -

宽度 4.69 mm 4.7 mm -

高度 8.77 mm 9.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -