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SGP13N60UFTU

SGP13N60UFTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin3+Tab TO-220 Rail

IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220-3


得捷:
N-CHANNEL IGBT


贸泽:
IGBT Transistors Dis High Perf IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


SGP13N60UFTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 6.50 A

耗散功率 60 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SGP13N60UFTU引脚图与封装图
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在线购买SGP13N60UFTU
型号 制造商 描述 购买
SGP13N60UFTU Fairchild 飞兆/仙童 Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin3+Tab TO-220 Rail 搜索库存
替代型号SGP13N60UFTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SGP13N60UFTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 600V 6.5A 60000mW

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin3+Tab TO-220 Rail

当前型号

型号: IRG4BC20UDPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL 60000mW

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INFINEON  IRG4BC20UDPBF  单晶体管, IGBT, 13 A, 2.4 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚

SGP13N60UFTU和IRG4BC20UDPBF的区别

型号: IRG4BC20UPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB 60000mW

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型号: IRG4BC20WPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL 60000mW

类似代替

IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。

SGP13N60UFTU和IRG4BC20WPBF的区别