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BC848CLT1G、BC849BLT1、BC848C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848CLT1G BC849BLT1 BC848C

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC848C  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 300 MHz, 310 mW, 100 mA, 110 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 225 mW 310 mW

增益频宽积 - 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

频率 100 MHz - -

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 420 - 110

耗散功率(Max) 300 mW - -

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -